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在之前的报道中，滩入添4条5通道也通过球差电镜和分子动力学模拟发现于PMN-PT压电材料中。综上所述，浙工助力作者利用原位同步辐射、浙工助力球差校正透射电镜、相场模拟，表明四方相结构耦合大量的小角度局域结构是造成多元素掺杂铌酸钾钠基压电陶瓷性能提高的原因。

该工作探索了从掺杂剂到微观结构以及宏观结构的关系，程再为新型压电陶瓷材料提供了更多的设计方向。通过球差电镜分析微观结构，千伏发现多元素掺杂，诱导的四方相结构中含有大量轻微偏离四方极化方向的小角度极化矢量。成果简介近日，消纳武汉理工大学团队与澳大利亚伍伦贡大学和悉尼大学、消纳西安交通大学团队合作，以传统的铋，锑，锆，共同掺杂铌酸钾钠压电陶瓷（KNN-Bi,Sb,Zr）为研究对象。

同时，迎峰类似的微观和宏观结构与掺杂剂的关系不仅仅发现于K0.5Na0.5NbO3压电陶瓷。研究工作得到了国家自然科学基金委、度夏中央高校基本科研专项资金、以及CSC国家留学基金委等项目的支持。

白鹤（d）KNN-Bi,Sb,Zr压电常数与两相含量在300K到500K之间的变化

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3.2原始晶粒尺寸原始晶粒尺寸越小，程再材料内部的晶界越多，晶界阻碍位错的运动，因此通过改变晶粒尺寸可以改变位错运动的容易程度和屈服强度。千伏细颗粒的Zener钉扎和合金元素在溶液中的溶质拖曳都减缓了晶界迁移。

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